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SUBARO

SUBSTRATE AND BARRIER LAYER OPTIMISATION FOR CVD-GROWN-THIN-FILM CRYSTALLYNE SILICON SOLAR CELLS

Informazioni Generali

Coordinatore:
IMEC INTERNUVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM VZW (Belgio)
Responsabile:
PIROZZI LUISA - (CASACCIA)
Ruolo ENEA:
PARTNER
Sito WEB:
Sito WEB non disponibile

Programmi Europei

Programma:
Quinto Programma Quadro UE (1998-2002) -> ENERGIA (1998-2002) (RST - Progetto di RST)

Descrizione e Attività

Descrizione Generale

A consortium has been formed by partners stemming from research and industry in order to progress towards the development of a cost-effective thin-film crystalline Si technology based on thermally assisted CVD as the deposition technique for the active crystalline Si-layer. The project focuses on three well-defined substrate options: Si-ribbons, conductive ceramics based on infiltrated SiAlON and insulating ceramics based on SiAlON. After the midterm assessment, the most promising conductive, respectively a one-side contacted monolithic module process. The active layers for these devices will be grown in a specifically developed continuous high-throughput CVD-reactor.

Attività svolta da ENEA

N/D

Dati Finanziari (in euro)

Costo Eleggibile

Progetto:
3.999.700,00
ENEA:
179.900,00

Contributo

Progetto:
1.999.800,00
ENEA:
90.000,00

Durata del Progetto

Anno di stipula e Durata:
2000 - N/D
Periodo:
01-04-2000 -> 30-09-2004

Partner (2)

Ruolo Nome Nazione
COORD IMEC INTERNUVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM VZW Belgio
PARTNER ENEA Italia

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