SUBARO
SUBSTRATE AND BARRIER LAYER OPTIMISATION FOR CVD-GROWN-THIN-FILM CRYSTALLYNE SILICON SOLAR CELLS
Informazioni Generali
- Coordinatore:
- IMEC INTERNUVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM VZW (Belgio)
- Responsabile ENEA:
- PIROZZI LUISA - (CASACCIA)
- Ruolo ENEA:
- PARTNER
- Sito WEB:
- Sito WEB non disponibile
Descrizione e Attività
Descrizione Generale
A consortium has been formed by partners stemming from research and industry in order to progress towards the development of a cost-effective thin-film crystalline Si technology based on thermally assisted CVD as the deposition technique for the active crystalline Si-layer. The project focuses on three well-defined substrate options: Si-ribbons, conductive ceramics based on infiltrated SiAlON and insulating ceramics based on SiAlON. After the midterm assessment, the most promising conductive, respectively a one-side contacted monolithic module process. The active layers for these devices will be grown in a specifically developed continuous high-throughput CVD-reactor.
Attività svolta da ENEA
N/D
Programmi Europei
- Programma:
- Quinto Programma Quadro UE (1998-2002) → ENERGIA (1998-2002) (RST - Progetto di RST)
Dati Finanziari (in euro)
Costo Eleggibile
- Progetto:
- 3.999.700,00
- ENEA:
- 179.900,00
Contributo
- Al progetto:
- 1.999.800,00
- A ENEA:
- 90.000,00
Durata del Progetto
- Anno di stipula e Durata:
- 2000 - N/D
- Periodo:
- 01-04-2000 → 30-09-2004
Numero di Partner (2)
Keyword associate al progetto dal database di CORDIS (0)
Nessuna keyword CORDIS disponibile per questo progetto
Altre Keyword non presenti nel database di CORDIS (0)
Nessuna altra keyword disponibile per questo progetto